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APS 200G/440G/560G
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公司名称：
APS 200G/440G/560G SiC感应炉
APS 200G/440G/560G SiC Induction Furnace
适用于6、8、12英寸，导电、高纯半绝缘型 SiC 晶体生长
设备特点
创新的结构设计，提供高纯材料生长能力
智能运行、监控系统，适于长时间、高温、低压工艺，拓宽高质量、大规模晶体生长窗口
技术指标
最高工作温度
2400℃
极限真空
5.0x10⁻⁴Pa
线圈升降
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
6、8、12英寸
生长腔室
高纯石英管
适用工艺
物理气相输运法(PVT)
适用材料
碳化硅、氮化铝
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