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开云网页版,开云(中国) 产品&服务真空新能源装备晶体生长设备 SiC电阻炉

真空新能源装备 Vacuum Tech

AGF 200G

SiC电阻炉

AGF 200G SiC电阻炉

AGF 200G SiC Resistance Fumace

适用于8、12英寸，导电、高纯半绝缘型 SiC 晶体生长

设备特点

技术指标

最高工作温度
2400℃
极限真空
5.0x10⁻⁴Pa
线圈升降
低至10μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
8、12英寸
生长腔室
316不锈钢
适用工艺
物理气相输运法(PVT)
适用材料
碳化硅

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