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SiC液相炉
真空新能源装备 Vacuum Tech
ALS 2001
SiC液相炉
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公司名称:
ALS 2001 SiC液相炉
ALS 2001 SiC Liquid Phase Fumace
适用于6、8、12英寸 SiC 晶体生长
设备特点
籽晶杆具备高精度的低速提拉功能,精度可达0.01mm/h
晶体生长液面可实时观测
精确的液面检测功能
坩埚、提拉杆可实现同时旋转
技术指标
最高工作温度
2400℃
极限真空
5.0x10⁻⁴Pa
线圈升降
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
6、8、12英寸
生长腔室
316不锈钢
适用工艺
液相外延法(LPE)
适用材料
碳化硅
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