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晶体生长设备
氧化镓长晶炉
真空新能源装备 Vacuum Tech
GGS 2001
氧化镓长晶炉
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公司名称：
GGS 2001 氧化镓长晶炉
GGS 2001 Ga2O3 Crystal Growth Furnace
适用于2、4、6、8英寸氧化镓晶体生长
设备特点
坩埚/热场具备高精度的低速提拉功能
智能运行、监控系统，适于长时间晶体生长
技术指标
最高工作温度
2400℃
极限真空
＜10Pa
线圈升降
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
2、4、6、8英寸
生长腔室
316不锈钢
适用工艺
垂直布里奇曼法(VB)
适用材料
氧化镓
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