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SiC块材沉积炉
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VERAL GH1520G1
SiC块材沉积炉
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公司名称：
VERAL GH1520G1 SiC块材沉积炉
VERAL GH1520G1 SiC Bulk Deposition Furnace
适用于半导体领域碳化硅块材的气相沉积
设备特点
单炉产能高（＞300片/炉）
CoO成本低（＜2000元/片）
合理的气路系统设计
智能化的尾气处理系统
技术指标
最高使用温度
1600℃
温度均匀性
±10℃
冷态极限真空度
10Pa
适用工艺
碳化硅块材化学气相沉积
适用材料
石墨
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